- Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit
- сущ.
микроэл. ВПЭ-транзистор, транзистор с высокой подвижностью электронов
Универсальный немецко-русский словарь. Академик.ру. 2011.
Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit
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Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor à haute mobilité d'électrons — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
High-electron-mobility transistor — Querschnitt eines InGaAs pseudomorphen HEMT Der high electron mobility transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der… … Deutsch Wikipedia
High Electron Mobility Transistor — Der High Electron Mobility Transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.… … Deutsch Wikipedia
high-electron mobility transistor — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
HEMT — Der High Electron Mobility Transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.… … Deutsch Wikipedia
HEMT — [eɪtʃiːem tiː; Abkürzung für englisch high electron mobility transistor, »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«], ein Feldeffekttransistor mit künstlicher Mikrostruktur auf Galliumarsenidbasis für Höchstfrequenz Halbleiterbauelemente.… … Universal-Lexikon
didelio elektronų judrio tranzistorius — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc. transistor à haute mobilité d électrons, m … Radioelektronikos terminų žodynas
транзистор с высокой подвижностью электронов — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
